재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, A…
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작성일 21-05-10 11:32
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1. XRD 구성
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
(6) 시료 준비
2. Direction of Diffracted Beam
(1) AAS원리
(5) 정량 분석 (Quantitative analysis)
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
(3) EDS를 이용한 원소의 정량분석
(1) ICP-MS란?
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
(3) TG의 가중기법
(2)Bragg’s Law
(1) X-선 형광이란
2. TG 미분곡선
(1) 기본원리
3. 분석에 이용하는 X-ray는?
3. 분해reaction(반응)속도 항수의 계산
(2) 구성장치
(2) XRF의 이용
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(7) advantage(장점) 과 단점
(3) AES분석의 종류
(4) 측정 방법
(2) 결과 분석
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(3) XRF의 종류
레포트 > 공학,기술계열
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(1) 장치 구성
1. TG 곡선의 의미
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
(4) 충전효과(charging effect)
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
(5) DTA의 특징
2. X선에 의한 동정법의 한계
재료의 조성 측정(measurement)방법
4. 전형적인 TG-curve
3. 미분곡선을 이용하는 이점
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
3. ICDD card
(3) FTIR의 구성
(4)XRD 實驗(실험)방법
4. 응용예
Reference
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(2) ESCA 장치의 주요 구조
설명
2. 열안정성
4)Filter
(3) DTA peak 해석
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
(2) AAS의 구성
(1) 기본원리
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여러가지 측정(measurement) 방법에 대한 원리, 實驗방법, 적용범위
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(5) 분석방법
(4) 시차온도곡선의 이해
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
(1) 기본원리
(3)XRD 시스템
(1)X-ray 기본원리
순서
(2) AES/SAM의 구조
(1) EDS 개요
(2) 전자저울 종류
1. XRD (X-ray Diffraction)
(1) 장치 구성
1. 조성의 분석
3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
재료의 조성 측정방법
(4) 분석방법
(4) 적용범위
2. X-ray의 발생
(2) FTIR의 특성
(5) 주요 적용 범위
4. 색인서(Index book)
(3) 기존 장비와의 비교
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
2). Goniometer
1. X-선 회절의 조건은?
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
1. X-ray란?
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
(2) EDS를 이용한 정성분(成分)석
(3) 감도 및 검출 한계
다.
